原创 中国离自研EUV光刻机，又近一步，但ASML CEO却还在嘴硬

ASML的作法是将高功率二氧化碳激光脉冲，照射在直径为30微米的锡滴液靶材上，激发出高功率的 13.5 nm的等离子体，将其作为光刻机的光源。

这种办法最大的缺点是什么呢，那就是转换效率太低，只有3%左右，也就是100W的输入功率，最后可能只有3W输出功率，这也是为何EUV光刻机是耗电大户的原因。

而近日，中国研发团队，在EUV光线的产生上，有了重大突破。

上海光机所林楠团队宣布突破了极紫外EUV光源平台，离造出EUV光刻机又近了一步。

林楠团队采用的是一种固体激光驱动技术，用1 μm固体激光激发Sn等离子体，一样能够产生13.5 nm极紫外线。

且这种方法的最大转换效率可能接近6%，远高于ASML使用的二氧化碳激光脉，是其2倍左右。

估计有些人会觉得这不靠谱，那我就再说一说，林楠可不是普通人，之前他曾任ASML公司研发科学家、研发部光源技术负责人，在2021年时，林楠作为国家海外高层次人才回国，为国效力。

而在加入ASML之前，他师从2023年诺贝尔物理学奖得主安妮·吕利耶（Anne L’Huillier），很明显在这一块，可以说，他有经验，有技术，有能力的大拿级别的人物。

目前林楠团队的研究，发表在《中国激光》2025年的第6期杂志上。

不过针对中国在EUV光源上的进步，ASML的CEO克里斯托夫·富凯则称，中国也许能制造出一些EUV光源，但一台EUV光刻机可不只是EUV光源，如果要制造出一台EUV光刻机，中国可能还需要很多很多年的时间。

不得不说，他说的是事实，但只要我们对这些核心系统，一一突破，那么离EUV光刻机也不远了，至少我们是越来越近了。